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NTMFS4854NS
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
6000
5000
C iss
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
12
10
Q T
20
15
4000
3000
8
6
V DS
V GS
10
2000
C oss
4
Q gs
Q gd
1000
0
0
C rss
5
10
15
20
25
2
0
0
10
20
30
40
50
60
I D = 30 A
T J = 25 ° C
70 80
5
0
90
DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Capacitance Variation
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate ? To ? Source and Drain ? To ? Source
Voltage vs. Total Charge
1000
100
V GS = 11.5 V
V DD = 15 V
I D = 15 A
t d(off)
t f
t r
100
10
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
t d(on)
10
1.0
1
1
10
100
0.1
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1000
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 8. Resistive Switching Time
Variation vs. Gate Resistance
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 9. Diode Forward Voltage vs. Current
I D = 250 m A
V GS = V DS
100
10 m s
1.0
10
V GS = 20 V
SINGLE PULSE
T C = 25 ° C
100 m s
1 ms
1
0.1
R DS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
PACKAGE LIMIT
1
10
10 ms
dc
100
0.5
? 50
? 25
0
25
50 75 100 125
150
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
5
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 11. Threshold Voltage
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